Как известно, многие будущие смартфоны флагманского уровня от крупнейших игроков мобильного рынка, которые появятся в продаже в следующем, 2018 году будут выполнены на базе нового чипа Qualcomm: процессора Snapdragon 845.
Согласно предыдущим слухам этот чип (точнее Система-на-Чипе) будет выполнен с применением самой современной 7-нанометровой FinFET технологии, что само по себе должно обеспечить ему более высокую рабочую частоту и пониженное энергопотребление. Однако, похоже, что эти слухи не соответствуют действительности.
Как сообщает достаточно авторитетный источник, сайт fudzilla.com, новый процессор Qualcomm флагманского уровня будет производиться с использованием 10-нанометровой литографии. Эта технология используется при производстве таких процессоров, как Mediatek Helio P35, Huawei Kirin 970, Exynos 8895, Apple A10 и A11 и пр.
При этом новинка также, как и её предшественник, процессор Qualcomm Snapdragon 835 будет выполнена на базе фирменных вычислительных ядер Kirin и ожидать её дебюта нам стоит в одном из следующих смартфонов: Samsung Galaxy S9/S9+, LG G7 или Xiaomi Mi 7, которые будет выпущены на рынок весной следующего года.
Интересно, что международные версии будущих Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ могут получить фирменные процессоры Exynos (модель 9810?), которые корейский производитель традиционно выпускает на собственных производственных мощностях и которые по слухам будут выполнены с применением 8-нанометровой FinFET LPP технологии.
Корейцы также работают над внедрением 7-нанометровой EUV (Extreme Ultra Violet) ультрафиолетовой фотолитографии, которая будет использоваться при выпуске их следующих чипов.
