В среду в кампусе Giheung компании Samsung состоялась торжественная церемония, посвящённая первым массовым поставкам продуктов со встроенной памятью eMRAM (магниторезистивной RAM). Что это за продукты и какой объём eMRAM в составе поставляемых чипов, в Samsung не сообщили. Из того, что заявлено ― это использование техпроцесса с нормами 28 нм на пластинах FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator). Такие пластины представляют собой очень тонкий слой полностью обеднённого кремния на изоляторе. За счёт подобной конструкции сильно снижаются паразитные токи утечки и растёт энергоэффективность.
Судя по всему, Samsung использует в производстве блоки eMRAM по 256 Мбит или 512 Мбит. Блоки eMRAM ёмкостью 1 Гбит компания будет выпускать не раньше, чем во второй половине текущего года. В пресс-релизе она уточняет, что позже в этом году будут готовы только цифровые проекты 1-Гбит eMRAM. После этого до начала производства должно пройти ещё порядка трёх месяцев. Тем самым Samsung стала четвёртым производителем чипов, который способен выпускать контроллеры, процессоры и SoC с памятью eMRAM вместо eNAND. Другие три ― это NXP Semiconductors, GlobalFoundries и Intel.
Важной особенностью технологического процесса при производстве eMRAM Samsung можно признать то, что блок памяти добавляется в чип на этапе сборки, упаковки и тестирования. Это означает, что блок eMRAM выпускается отдельно с использованием всего трёх фотомасок и может быть добавлен к чипу вне зависимости от техпроцесса, с помощью которого тот выпущен и без привязки к планарным или FinFET-транзисторам. Вообще без какой-либо привязки к базовому решению. Тем самым блок eMRAM Samsung можно адаптировать под уже готовые и давно запущенные в массовое производство решения, существенно модернизировав актуальные разработки.
Ещё раз повторим, Samsung не даёт точного описания приборов с eMRAM, которые она запустила в массовое производство. Уточнённые данные мы узнаем чуть позже, и всё расскажем на наших страницах. Пока заявлено, что скорость работы eMRAM в 1000 раз больше eNAND (eFlash). В демонстрационном ролике выше компания показывает, что скорости чтения из eMRAM и SRAM одинаковые. Потребление в режиме записи памяти eMRAM составляет всего 1/400 от потребления при записи eNAND, а устойчивость к износу на несколько порядков выше. Также следует ожидать, о чём Samsung не говорит в пресс-релизе, что её память eMRAM относится, скорее всего, к типу STT-MRAM с записью с переносом момента спина электрона. Собственно, об этом говорят энергетические показатели в режиме записи. Очень экономная, энергонезависимая и быстрая память.
